Корпорация Innovative Silicon, Inc (ISi) сообщила о двух существенных
прорывах в своей разработке памяти Z-RAM (zero-capacitor RAM).
Напоминаем, Z-RAM отличается от обычной памяти отсутствием конденсаторов
для хранения информации. Запись и хранение данных в этой разработке
основаны на так именуемом эффекте "плавающего тела" (FB, floating body). Разработчикам ISi удалось снизить напряжение питания Z-RAM до уровня
ниже 1 В. Это самое низкое значение среди иных разработок памяти с
"плавающим телом". Свежее достижение позволило впервые сравнять по этому
показателю FB-память с обычной DRAM-памятью. Второй прорыв состоит в
исполнении Z-RAM на базе объемного кремния с применением структур 3D
(неплоских) транзисторов, широко применяемых разработчиками DRAM-памяти.
Это дает возможность отказаться от применения субстратов SOI (кремний
на изоляторе), которые являются более дорогими. Обновленная
разработка Z-RAM была реализована в тестовом чипе корпорацией Hynix
Semiconductor. Как отмечает ISi, эта микросхема наглядно показала, что
Z-RAM имеет все шансы заменить обычную память и обладает более низкой
себестоимостью по сравнению с любой DRAM-технологией при применении
техпроцесса с проектными нормами 40 нм и ниже. Z-RAM сравнима с DRAM по
энергопотреблению и быстродействию. Источник - http://www.innovativesilicon.com/technology.php
Свежее достижение позволило впервые сравнять по этому
показателю FB-память с обычной DRAM-памятью. 
Второй прорыв состоит в
исполнении Z-RAM на базе объемного кремния с применением структур 3D
(неплоских) транзисторов, широко применяемых разработчиками DRAM-памяти.
Это дает возможность отказаться от применения субстратов SOI (кремний
на изоляторе), которые являются более дорогими. 